Bộ nhớ HBM4E 12 tầng của Samsung được cho là đã vượt qua vòng kiểm định của NVIDIA
Samsung vừa vượt qua một cột mốc quan trọng khi bộ nhớ HBM4E 12 tầng được cho là đã vượt qua các bài kiểm tra chất lượng từ NVIDIA và các nhà cung cấp dịch vụ đám mây lớn. Dù vậy, các thỏa thuận cung ứng thực tế và lịch giao hàng vẫn chưa được công bố chính thức.
Samsung Electronics được cho là đã vượt qua một thử thách lớn trong cuộc đua bộ nhớ HBM đầy cạnh tranh, khi thế hệ bộ nhớ HBM4E 12 tầng mới nhất của hãng đã vượt qua quá trình kiểm định tại NVIDIA và một số hãng vận hành trung tâm dữ liệu lớn.
Theo một báo cáo mới từ trang tin Hankyung của Hàn Quốc, bộ phận bộ nhớ của Samsung đã hoàn tất việc kiểm định HBM4E 12-Hi với NVIDIA và các khách hàng trung tâm dữ liệu lớn khác vào cuối tháng 9. Kiểm định là một trong những bước quan trọng nhất trước khi sản phẩm bộ nhớ có thể tiến tới thương mại hóa, trong đó khách hàng đánh giá xem phần cứng có đáp ứng các tiêu chuẩn về hiệu năng, độ tin cậy, tản nhiệt và các thông số kỹ thuật yêu cầu hay không.
Tuy nhiên, vẫn có một điểm lưu ý quan trọng. Báo cáo chỉ nêu rằng Samsung đã vượt qua khâu kiểm định của khách hàng; khối lượng cung cấp thực tế, giá trị hợp đồng và lịch trình giao hàng sản xuất hàng loạt vẫn chưa được xác nhận. Bản thân Samsung đã từ chối xác thực báo cáo, cho biết họ không thể xác nhận liệu quá trình kiểm định HBM4E đã hoàn tất hay chưa.
Samsung đã bắt đầu gửi các mẫu HBM4E 12 tầng cho các khách hàng toàn cầu lớn vào tháng 5. Con chip này có dung lượng 48 GB mỗi stack, hoạt động ổn định ở tốc độ 14 Gbps mỗi chân và có thể mở rộng lên tới 16 Gbps, mang lại băng thông lên tới 3,6 TB/s. Samsung cho biết con số này đại diện cho mức tăng hiệu suất hơn 20% so với thế hệ HBM4 của họ.
Về mặt công nghệ, HBM4E kết hợp DRAM 1c lớp 10nm thế hệ thứ sáu của Samsung với đế logic cơ sở 4nm được sản xuất bởi Samsung Foundry, dựa trên các công nghệ sản xuất đã được áp dụng trên các sản phẩm HBM4. Samsung trước đây cho biết con chip này cũng mang lại những cải tiến về hiệu quả sử dụng năng lượng và đặc tính tản nhiệt, hai yếu tố ngày càng quan trọng khi các bộ tăng tốc AI tiếp tục đẩy băng thông bộ nhớ và yêu cầu điện năng lên cao hơn.
Samsung đã có những bước đi mạnh mẽ nhằm củng cố vị thế trước SK hynix và Micron trên thị trường HBM. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào đầu năm nay, dòng bộ nhớ được thiết kế cho nền tảng Vera Rubin của NVIDIA, trước khi nhanh chóng tung ra các mẫu HBM4E tiếp theo.
Nếu thông tin về việc vượt qua kiểm định của NVIDIA là chính xác, Samsung giờ đây đã đạt được mộtột mốc kỹ thuật quan trọng. Câu hỏi tiếp theo là liệu điều đó có chuyển thành các đơn hàng HBM4E lớn hay không một khi NVIDIA và các khách hàng AI khác bắt đầu đẩy mạnh sản xuất các bộ tăng tốc thế hệ mới.
⚡ BỘ NHỚ HBM4E 12 TẦNG CỦA SAMSUNG ĐƯỢC CHO LÀ ĐÃ VƯỢT QUA VÒNG KIỂM ĐỊNH CỦA NVIDIA Samsung Electronics được cho là đã vượt qua một thử thách lớn trong cuộc đua bộ nhớ HBM đầy cạnh tranh, khi thế hệ bộ nhớ HBM4E 12 tầng mới nhất của hãng đã vượt qua quá trình kiểm định tại NVIDIA và một số hãng vận hành trung tâm dữ liệu lớn. Theo một báo cáo mới từ trang tin Hankyung của Hàn Quốc, bộ phận bộ nhớ của Samsung đã hoàn tất việc kiểm định HBM4E 12-Hi với NVIDIA và các khách hàng trung tâm dữ liệu lớn khác vào cuối tháng 9. Kiểm định là một trong những bước quan trọng nhất trước khi sản phẩm bộ nhớ có thể tiến tới thương mại hóa, trong đó khách hàng đánh giá xem phần cứng có đáp ứng các tiêu chuẩn về hiệu năng, độ tin cậy, tản nhiệt và các thông số kỹ thuật yêu cầu hay không. Tuy nhiên, vẫn có một điểm lưu ý quan trọng. Báo cáo chỉ nêu rằng Samsung đã vượt qua khâu kiểm định của khách hàng; khối lượng cung cấp thực tế, giá trị hợp đồng và lịch trình giao hàng sản xuất hàng loạt vẫn chưa được xác nhận. Bản thân Samsung đã từ chối xác thực báo cáo, cho biết họ không thể xác nhận liệu quá trình kiểm định HBM4E đã hoàn tất hay chưa. Samsung đã bắt đầu gửi các mẫu HBM4E 12 tầng cho các khách hàng toàn cầu lớn vào tháng 5. Con chip này có dung lượng 48 GB mỗi stack, hoạt động ổn định ở tốc độ 14 Gbps mỗi chân và có thể mở rộng lên tới 16 Gbps, mang lại băng thông lên tới 3,6 TB/s. Samsung cho biết con số này đại diện cho mức tăng hiệu suất hơn 20% so với thế hệ HBM4 của họ. Về mặt công nghệ, HBM4E kết hợp DRAM 1c lớp 10nm thế hệ thứ sáu của Samsung với đế logic cơ sở 4nm được sản xuất bởi Samsung Foundry, dựa trên các công nghệ sản xuất đã được áp dụng trên các sản phẩm HBM4. Samsung trước đây cho biết con chip này cũng mang lại những cải tiến về hiệu quả sử dụng năng lượng và đặc tính tản nhiệt, hai yếu tố ngày càng quan trọng khi các bộ tăng tốc AI tiếp tục đẩy băng thông bộ nhớ và yêu cầu điện năng lên cao hơn. Samsung đã có những bước đi mạnh mẽ nhằm củng cố vị thế trước SK hynix và Micron trên thị trường HBM. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào đầu năm nay, dòng bộ nhớ được thiết kế cho nền tảng Vera Rubin của NVIDIA, trước khi nhanh chóng tung ra các mẫu HBM4E tiếp theo. Nếu thông tin về việc vượt qua kiểm định của NVIDIA là chính xác, Samsung giờ đây đã đạt được mộtột mốc kỹ thuật quan trọng. Câu hỏi tiếp theo là liệu điều đó có chuyển thành các đơn hàng HBM4E lớn hay không một khi NVIDIA và các khách hàng AI khác bắt đầu đẩy mạnh sản xuất các bộ tăng tốc thế hệ mới. 🗞 Nguồn: Wccftech #vgsnews #vgs #tintuc
Nguồn: Wccftech
