CXMT bước đầu sản xuất thử nghiệm bộ nhớ HBM3E, đánh dấu cột mốc quan trọng cho ngành DRAM Trung Quốc

🔧 CXMT BƯỚC ĐẦU SẢN XUẤT THỬ NGHIỆM BỘ NHỚ HBM3E, ĐÁNH DẤU CỘT MỐC QUAN TRỌNG CHO NGÀNH DRAM TRUNG QUỐC

Hãng sản xuất DRAM hàng đầu Trung Quốc là ChangXin Memory Technologies (CXMT) đã bắt đầu sản xuất thử nghiệm bộ nhớ HBM3E, theo The Information. Mặc dù CXMT vẫn chậm hơn một thế hệ so với ba ông lớn ngành bộ nhớ hiện đang sản xuất hàng loạt HBM4, việc đạt được cột mốc HBM3E cho thấy sự tiến bộ công nghệ nhanh chóng của công ty.

Thông số kỹ thuật về các sản phẩm HBM3E của CXMT hiện chưa được tiết lộ, và do đang trong giai đoạn sản xuất thử nghiệm, thông số của sản phẩm thương mại sau này có thể sẽ khác biệt. Trong khi đó, các thông số chuẩn của JEDEC đã rất quen thuộc: các mô-đun HBM3E sở hữu giao diện bộ nhớ rộng 1.024-bit, hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9,6 GT/s cho mỗi chân và có thể xếp chồng 8 hoặc 10 thiết bị bộ nhớ. Tùy thuộc vào mức tốc độ, HBM3E có thể cung cấp băng thông bộ nhớ lên tới 1,228 TB/s.

Dung lượng của các stack bộ nhớ thực tế phụ thuộc vào số lượng die DRAM được sử dụng: các sản phẩm HBM3E có thể đạt dung lượng 24GB với stack 8 die hoặc 36GB với stack 12 die khi được xây dựng từ các linh kiện DRAM 24Gb.

Theo báo cáo, một số nhà phát triển vi xử lý tiên tiến tại Trung Quốc hiện đang đánh giá dòng HBM3E của CXMT cùng với các bộ vi xử lý của họ, bao gồm T-Head thuộc Tập đoàn Alibaba và Cambricon Technologies. Nếu quá trình kiểm tra và chứng nhận diễn ra theo đúng kế hoạch, các công ty này có thể bắt đầu sử dụng HBM3E của CXMT trong các sản phẩm thương mại sớm nhất là vào năm tới.

Vì mỗi gói HBM yêu cầu nhiều die DRAM lớn, việc gia tăng sản lượng HBM có thể tiêu tốn đáng kể năng lực sản xuất DRAM, và đây là lúc chiến lược mở rộng năng lực mạnh mẽ của CXMT phát huy tác dụng.

Việc CXMT sản xuất được HBM3E mang ý nghĩa quan trọng vì nhiều lý do, và bản thân thế hệ HBM3E có lẽ ít quan trọng hơn khả năng tự sản xuất HBM có thể sử dụng được của CXMT.

Thứ nhất, HBM là một trong những thành phần cốt lõi của các bộ tăng tốc AI hiện đại. Nếu dòng HBM3E của CXMT vượt qua vòng kiểm định với các bộ vi xử lý từ Cambricon, T-Head và các nhà thiết kế Trung Quốc khác, quốc gia này sẽ giảm bớt sự phụ thuộc vào Micron, Samsung và SK hynix để chế tạo phần cứng AI hiệu năng cao.

Thứ hai, dù chậm hơn một thế hệ so với HBM4, HBM3E vẫn là loại bộ nhớ cực kỳ mạnh mẽ, có thể cung cấp băng thông vài TB/s, hoàn toàn đủ dùng cho các bộ tăng tốc AI mạnh mẽ. Trên thực tế, nhiều nhà phát triển bộ tăng tốc AI tại Trung Quốc không nhất thiết phải cần đến HBM4 hoặc HBM4E để xây dựng các hệ thống AI hữu ích.

Thứ ba, việc sản xuất HBM khó hơn đáng kể so với DRAM thông thường. CXMT không chỉ cần các die DRAM cạnh tranh mà còn cần công nghệ xếp chồng có tỷ lệ thành công cao, các mối nối xuyên silicon (TSV), kết nối cực mịn, quản lý nhiệt, đóng gói và kiểm tra chất lượng. Việc đạt được giai đoạn sản xuất thử nghiệm HBM3E chứng minh rằng hệ sinh thái bộ nhớ của Trung Quốc đang tiến xa hơn việc chỉ sản xuất các loại DRAM thương mại thông thường.

Cuối cùng, yếu tố địa chính trị cũng rất quan trọng. Các lệnh hạn chế xuất khẩu đang cản trở quyền tiếp cận của Trung Quốc đối với các bộ tăng tốc AI tiên tiến và HBM. Do đó, sự kết hợp giữa các bộ tăng tốc do Trung Quốc thiết kế, bộ nhớ HBM3E của CXMT và công nghệ đóng gói tiên tiến trong nước cho thấy Trung Quốc đang tiến thêm một bước gần hơn tới sự tự chủ về chất bán dẫn.

🗞 Nguồn: Tom's Hardware

#vgsnews #vgs #tintuc