Samsung hé lộ lộ trình ba giai đoạn cho HBM: Đưa khả năng tính toán trực tiếp vào bộ nhớ

🔧 SAMSUNG HÉ LỘ LỘ TRÌNH BA GIAI ĐOẠN CHO HBM: ĐƯA KHẢ NĂNG TÍNH TOÁN TRỰC TIẾP VÀO BỘ NHỚ

Samsung đã công bố lộ trình ba giai đoạn nhằm chuyển đổi dần bộ nhớ băng thông cao (HBM) thành một hệ thống tích hợp bộ nhớ và tính toán, với điểm nhấn là kiến trúc zHBM của công ty. Kiến trúc này đặt bộ xử lý trực tiếp bên dưới chồng DRAM và loại bỏ liên kết interposer 2.5D thông thường giữa hai thành phần. Trình bày chi tiết về lộ trình tại sự kiện Hot Chips 2026, ông Sangwook Han thuộc đội ngũ thiết kế DRAM của Samsung đã xác định đế cơ sở (base die) là chìa khóa cho sự tiến hóa này, bắt đầu từ quyết định sản xuất đế cơ sở HBM trên một tiến trình logic tiên tiến.

Trong các dòng HBM truyền thống, đế cơ sở (B-die) được chế tạo trên cùng một node tiến trình DRAM giống như các đế lõi (C-dies) ở chồng phía trên. Bắt đầu từ HBM4, Samsung đã chuyển đế cơ sở sang tiến trình logic 4nm, chủ yếu nhằm giảm mức tiêu thụ điện năng và thu nhỏ diện tích đế. Ngoài ra, thay đổi này cũng mang lại cho Samsung một thành phần silicon mạnh mẽ và có năng lực xử lý cao hơn nhiều.

🗞 Nguồn: Tom's Hardware

#vgsnews #vgs #tintuc