Bộ nhớ QLC của iPhone 18 Pro Max chậm hơn thẻ nhớ SD khi chạy tải nặng

💻 BỘ NHỚ QLC CỦA IPHONE 18 PRO MAX CHẬM HƠN THẺ NHỚ SD KHI CHẠY TẢI NẶNG

Các bài kiểm tra điểm chuẩn FIO từ kênh Bilibili HOMOLAB đã đưa bộ nhớ 1TB của iPhone 18 Pro Max vào thử nghiệm thực tế, và kết quả cho thấy bộ nhớ flash của máy có thể chậm đi đáng kể khi chịu tải nặng, đặc biệt là khi ổ đĩa dần đầy.

Hầu hết các điện thoại hiện nay đều sử dụng bộ nhớ flash TLC (triple-level cell), lưu trữ 3 bit dữ liệu trên mỗi ô nhớ và mang lại sự cân bằng vững chắc giữa tốc độ, dung lượng và độ bền. Thay vào đó, phiên bản iPhone 18 Pro Max 1TB sử dụng bộ nhớ QLC (quad-level cell), đóng gói 4 bit trên mỗi ô. Điều này có nghĩa là dung lượng lớn hơn từ cùng một con chip vật lý, nhưng mỗi ô phải phân biệt giữa nhiều trạng thái hơn, thường làm cho QLC chậm hơn và ít bền hơn so với TLC.

HOMOLAB đã chứng minh điều này bằng phép so sánh trực tiếp với iPhone 18 Pro bản TLC 512GB. Trong các bài kiểm tra đọc 4K có trọng số, cả hai khá gần nhau: 46.045 điểm đối với phiên bản QLC so với 51.282 điểm của TLC. Khoảng cách nới rộng hơn trong các tác vụ đọc/ghi hỗn hợp, nơi mẫu TLC dẫn trước khoảng 38% ở độ sâu hàng đợi thấp (11.285 so với 8.168), và thu hẹp còn khoảng 12% ở mức tải nặng hơn, đòi hỏi khắt khe hơn (35.992 so với 32.219).

Giống như hầu hết các dòng điện thoại hiện đại, iPhone 18 Pro Max sử dụng bộ nhớ đệm SLC (single-level cell) nhỏ và nhanh để xử lý các đợt bùng nổ dữ liệu nhanh chóng, đạt tốc độ trên 3.000 MB/s khi bộ nhớ đệm này còn trống. Khi bộ nhớ đệm đó cạn kiệt, điện thoại sẽ chuyển về bộ đệm phụ mô phỏng bộ nhớ kiểu TLC và vẫn nhanh hơn QLC thô, đạt trung bình 578 MB/s nhưng có sự biến động đáng kể. Chỉ sau khi bộ đệm phụ đó cũng cạn kiệt, điện thoại mới ghi trực tiếp vào bộ nhớ QLC thô, nơi HOMOLAB đo được tốc độ duy trì giảm xuống mức trung bình chỉ 79,4 MB/s và chạm đáy ở 25.6 MB/s – tệ hơn nhiều thẻ nhớ microSD giá rẻ.

Tình hình càng trở nên tồi tệ hơn khi ổ đĩa đầy dần. Ở mức dung lượng 60%, không gian trống bị thu hẹp khiến bộ nhớ đệm nhanh có ít chỗ trống hơn, dung lượng bộ nhớ đệm SLC khả dụng giảm mạnh từ khoảng 250GB trên ổ trống xuống chỉ còn 58GB. Bộ đệm mô phỏng TLC cũng chậm lại, đạt trung bình 396 MB/s so với 578 MB/s khi trống, và giai đoạn ghi ngược QLC thô thậm chí giảm sâu hơn nữa, trung bình ở mức 45 MB/s và chạm đáy chỉ 1,1 MB/s – thua xa bộ nhớ UFS 4.0 dựa trên TLC cạnh tranh ở các điện thoại flagship khác khi chịu các mức tải nặng tương tự.

Về giá cả, biến thể 1TB mang một trong những mức chênh lệch giá lưu trữ cao nhất trong ngành, mặc dù sử dụng loại bộ nhớ thường được coi là kém hơn một bậc so với các cấu hình dung lượng thấp hơn.

Đối với hầu hết các tác vụ hàng ngày – nhắn tin, duyệt web và chụp ảnh thông thường – điều này có thể sẽ không đáng chú ý, vì bộ nhớ đệm xử lý tốt các đợt bùng nổ điển hình. Nó trở thành vấn đề thực sự trong các tác vụ ghi nặng liên tục, chẳng hạn như quay video 4K hoặc ProRes dài, truyền file lớn hoặc khôi phục bản sao lưu. Đây chính xác là những trường hợp sử dụng mà người mua phiên bản dung lượng cao rất dễ gặp phải.

🗞 Nguồn: Notebookcheck

#vgsnews #vgs #tintuc