Micron ra mắt thanh RAM DDR5 512GB đầu tiên trên thế giới đạt tốc độ 9200 MT/s

⚡ MICRON RA MẮT THANH RAM DDR5 512GB ĐẦU TIÊN TRÊN THẾ GIỚI ĐẠT TỐC ĐỘ 9200 MT/S

Micron vừa demo module bộ nhớ DDR5 512GB đầu tiên trên thế giới đạt tốc độ lên tới 9200 MT/s, mở đường cho các máy chủ thế hệ tiếp theo.

Nhu cầu về AI thúc đẩy nhà sản xuất bộ nhớ tạo ra các module DDR5 dung lượng cao

AI tác nhân (agentic AI) và các quy trình làm việc đòi hỏi nhiều bộ nhớ đã đẩy nhu cầu về DRAM lên mức cao chưa từng có, và các nhà cung cấp bộ nhớ như Micron đang tích cực phát triển các công nghệ thế hệ tiếp theo để đáp ứng nhu cầu này.

Sản phẩm mới nhất của Micron được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu đó, mang lại dung lượng DRAM lên tới 512 GB và tốc độ lên tới 9200 MT/s, trở thành bộ nhớ có mật độ cao nhất và nhanh nhất cho đến nay dành cho khách hàng doanh nghiệp. Module bộ nhớ này sử dụng giải pháp đóng gói kết nối dọc tiên tiến của công ty, xếp chồng các die DRAM theo chiều dọc và kết nối chúng thông qua các lỗ xuyên qua silicon (TSV). Nhờ đó, các nền tảng trung tâm dữ liệu có thể đạt tới 12 TB bộ nhớ DDR5 trong một máy chủ 2 socket với 24 khe cắm duy nhất.

Thông cáo báo chí: Micron Technology hôm nay đã công bố một cột mốc quan trọng trong đổi mới bộ nhớ với việc thành công trình diễn module DDR5 512GB đầu tiên trên thế giới trên nhiều nền tảng máy chủ. Thành tựu này củng cố vị thế dẫn đầu của Micron trong lĩnh vực bộ nhớ máy chủ hiệu suất cao, dung lượng cao, đồng thời cung cấp cho khách hàng trung tâm dữ liệu doanh nghiệp và điện toán đám mây con đường để hỗ trợ các khối lượng công việc AI, phân tích, cơ sở dữ liệu trong bộ nhớ và mô phỏng nặng đòi hỏi khắt khe với hiệu quả cao hơn. Các hãng bán dẫn hàng đầu là AMD và Intel đều đang tích cực xác thực module này, vốn sẽ mang lại tốc độ lên tới 9.200 MT/s.

Dung lượng cao của module này có được nhờ các đổi mới về bao bì kết nối dọc tiên tiến của Micron. Sản phẩm này xếp chồng các die DRAM theo chiều dọc được kết nối với nhau bằng các lỗ xuyên qua silicon (TSV) để tối đa hóa mật độ trong từng gói DRAM riêng lẻ trong khi vẫn duy trì hiệu suất mà kiến trúc trung tâm dữ liệu hiện đại yêu cầu. Module này cho phép đạt tới 12TB DRAM DDR5 trong một máy chủ 2 socket với 24 khe cắm.

"Micron tiếp tục đặt ra nhịp độ cho công nghệ bộ nhớ, cung cấp một lớp bộ nhớ máy chủ siêu dày đặc, hiệu suất cao mới giúp khách hàng giữ các tập dữ liệu lớn hơn gần hơn với các cỗ máy tính toán cần chúng," Raj Narasimhan, phó chủ tịch cấp cao kiêm tổng giám đốc đơn vị kinh doanh bộ nhớ đám mây tại Micron cho biết. "Một thanh RDIMM 512GB cho phép tạo ra các máy chủ dung lượng đa terabyte, hỗ trợ khối lượng công việc AI và cơ sở dữ liệu lớn hơn, mật độ ảo hóa cao hơn và cải thiện hiệu quả sử dụng điện năng, tất cả đều nằm trong không gian máy chủ hiện có."

Xác thực từ các đối tác sinh thái

Micron đang hợp tác chặt chẽ với các bên hỗ trợ hệ sinh thái hàng đầu để xác thực RDIMM DDR5 512GB trên các nền tảng máy chủ thế hệ tiếp theo, đảm bảo khả năng tương thích rộng rãi và con đường triển khai suôn sẻ.

"Các giải pháp của AMD tiếp tục nâng cao hiệu suất, khả năng mở rộng và hiệu quả của trung tâm dữ liệu khi AI và các khối lượng công việc đòi hỏi nhiều dữ liệu định hình lại các yêu cầu về cơ sở dữ liệu," Amit Goel, phó chủ tịch doanh nghiệp phụ trách Kỹ thuật Giải pháp Nền tảng AI Tính toán và Doanh nghiệp tại AMD cho biết. "Sự hợp tác kỹ thuật chặt chẽ của chúng tôi với Micron mang lại sự đổi mới về tính toán và bộ nhớ để giúp khách hàng nhận ra toàn bộ giá trị của các nền tảng chạy bằng AMD. Cùng nhau, chúng tôi đang hỗ trợ cơ sở hạ tầng cân bằng, hiệu suất cao cho quy mô và độ phức tạp ngày càng tăng của các khối lượng công việc hiện đại."

"Sự phát triển của AI và các khối lượng công việc đòi hỏi nhiều dữ liệu khác đang đặt ra những yêu cầu mới đối với cơ sở hạ tầng máy chủ, làm cho dung lượng bộ nhớ và băng thông trở nên quan trọng hơn đối với hiệu suất tổng thể của hệ thống," Karin Eibschitz Segal, tổng giám đốc kỹ thuật nền tảng và hệ thống tại Nhóm Trung tâm Dữ liệu của Intel chia sẻ. "Intel đang hợp tác chặt chẽ với Micron để xác thực RDIMM DDR5 512GB của hãng và giúp kích hoạt các nền tảng máy chủ trong tương lai được thiết kế để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của khối lượng công việc trung tâm dữ liệu thế hệ tiếp theo."

Đáp ứng nhu cầu bộ nhớ của các khối lượng công việc đòi hỏi nhiều dữ liệu

Sự bùng nổ nhanh chóng của các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), AI tác nhân, suy luận thời gian thực và khối lượng công việc CPU có số lõi cao đang thúc đẩy nhu cầu về dung lượng bộ nhớ máy chủ lớn hơn, băng thông cao hơn và cải thiện hiệu quả sử dụng năng lượng.

Các thanh RDIMM 512GB của Micron giải quyết các nhu cầu này bằng cách cho phép các tập dữ liệu lớn hơn lưu trú trong bộ nhớ chính, giảm sự phụ thuộc vào các tầng lưu trữ chậm hơn và giảm thiểu việc di chuyển dữ liệu tốn kém. RDIMM 512GB mới cũng cải thiện hiệu quả, giảm công suất hoạt động hơn 60% so với bốn thanh RDIMM 128GB.

Đối với các khối lượng công việc bị giới hạn về bộ nhớ như phân tích dữ liệu dựa trên Spark Support Vector Machines (SVM), các thanh RDIMM 512GB của Micron có thể mang lại hiệu suất cao hơn tới 1,4 lần so với các cấu hình DDR5 256GB. Module 512GB này cũng mang lại những ưu thế đáng kể cho các cơ sở dữ liệu đòi hỏi nhiều bộ nhớ và nền tảng bộ nhớ đệm, bao gồm RocksDB và Redis, giúp cải thiện thông lượng, tăng khả năng đồng thời và giúp mở rộng quy mô tập dữ liệu hiệu quả hơn.

🗞 Nguồn: Wccftech

#vgsnews #vgs #tintuc